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α-氧化铝粉体:蓝宝石衬底抛光的主选

蓝宝石单晶因为具有与半导体GaN的晶格系数失配率较小、机械强度高、价格便宜等特点,成为了目前应用最广的衬底材料之一。但你需要知道的是,由于GaN膜的无缺陷生长很大程度上依赖于蓝宝石晶片的表面加工质量,因此为了得到光洁、无晶格缺陷的表面,蓝宝石单晶在经过切片、研磨和倒角后,还需要经过“抛光”这一步骤来改善晶片粗糙度,使其表面能达到外延片磊晶级的精度。

自从1991年IBM首次将化学机械抛光(CMP)技术成功应用到64MbDRAM的生产中后,CMP技术逐渐被各种电子器件先后引进,通过超细粒子的机械研磨作用与氧化剂的化学腐蚀作用的结合,它能使人们获得比以往任何平面加工更加出色的表面形貌变化,几乎被公认为目前唯一的全局平面化技术。


对α-Al2O3粉体的要求


由于在LED行业中,CMP抛光液中常选用粒径50∼200nm、粒径分布均匀的纳米α-Al2O3以避免大粒子造成的划痕。因此为了确保抛光液的切削速率及效果,使蓝宝石衬底能抛出均匀而明亮的光泽,公司出产的用于蓝宝石抛光的高纯球型α-Al2O3粉体(99.99%),必须具备颗粒分布窄(80nm-150nm),粒径小,α相转晶完全,团聚小易分散,尺寸稳定性好,硬度高等特点。

同时,若氧化铝抛光液的分散稳定性不佳,容易导致抛光液在抛光过程中存在分散稳定性差、抛光过程容易出现凝聚现象使抛光面出现划痕的问题。因此为了提高氧化铝抛光液的稳定性,对α-Al2O3颗粒的Zeta电位,以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量也都有一定的要求。

但无论如何,制备出形状规则、粒径大小合适的氧化铝颗粒始终是制备氧化铝抛光液的基础。

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